全文获取类型
收费全文 | 107468篇 |
免费 | 9376篇 |
国内免费 | 5868篇 |
专业分类
化学 | 62501篇 |
晶体学 | 1495篇 |
力学 | 6068篇 |
综合类 | 336篇 |
数学 | 10467篇 |
物理学 | 41845篇 |
出版年
2023年 | 1183篇 |
2022年 | 1656篇 |
2021年 | 2333篇 |
2020年 | 2650篇 |
2019年 | 2503篇 |
2018年 | 2303篇 |
2017年 | 2191篇 |
2016年 | 3366篇 |
2015年 | 3113篇 |
2014年 | 3923篇 |
2013年 | 6231篇 |
2012年 | 6939篇 |
2011年 | 7623篇 |
2010年 | 5301篇 |
2009年 | 5161篇 |
2008年 | 5973篇 |
2007年 | 5401篇 |
2006年 | 4985篇 |
2005年 | 4366篇 |
2004年 | 3643篇 |
2003年 | 3095篇 |
2002年 | 2868篇 |
2001年 | 3911篇 |
2000年 | 2975篇 |
1999年 | 2554篇 |
1998年 | 1890篇 |
1997年 | 1805篇 |
1996年 | 1543篇 |
1995年 | 1459篇 |
1994年 | 1289篇 |
1993年 | 1111篇 |
1992年 | 1346篇 |
1991年 | 1304篇 |
1990年 | 1153篇 |
1989年 | 964篇 |
1988年 | 897篇 |
1987年 | 944篇 |
1986年 | 800篇 |
1985年 | 996篇 |
1984年 | 898篇 |
1983年 | 650篇 |
1982年 | 607篇 |
1981年 | 569篇 |
1980年 | 517篇 |
1979年 | 634篇 |
1978年 | 652篇 |
1977年 | 675篇 |
1976年 | 590篇 |
1975年 | 497篇 |
1974年 | 528篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
The object of this note is to prove the followingTheorem Let{a_n}and{b_n}be sequences of real numbers such that0<∑∑a_n~2<+∞and0<∑b_n~2<+∞.Then we have the inequalitysum from m=1 to∞sum from n=1 to∞a_mb_n/m+n<{sum from n=1 to∞(π-θ/n~(1/2)a_n~2}~1/2{sum from n=1 to∞(π-θ/n~(1/2)b_n~2}~1/2 (1)whereθ=3/2~(1/2)-1=1.121320343. 相似文献
122.
J Szeman H Ueda J Szejtli E Fenyvesi Y Machida T Nagai 《Chemical & pharmaceutical bulletin》1987,35(1):282-288
123.
应用不可约张量理论构造了三角对称晶场中3d2/3d8态离子的45阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵,研究了CsNiCl3晶体的光谱精细结构、晶体结构、零场分裂参量、Jahn-Telller效应以及自旋单重态对Ni2+离子基态能级的影响,理论与实验相符合.在此基础上,进一步研究了以前工作中被忽略的自旋-自旋耦合作用和Trees修正对CsNiCl3晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响,发现有四种机理会影响零场分裂参量:1)自旋-轨道耦合机理,2)自旋-自旋耦合机理;3)自旋-轨道与自旋-自旋联合耦合机理;4)自旋-轨道与Trees修正联合耦合机理,其中自旋-轨道耦合机理是最主要的,其他三种机理也是不可忽略的.
关键词:
基态能级
精细结构
零场分裂
自旋-自旋耦合 相似文献
124.
125.
126.
127.
在弱场图像下,利用Racah不可约张量算符方法得到了三角对称3d4/3d6电子组态的210阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵、最近邻点电荷模型晶体结构常量公式和电子顺磁共振g因子公式.研究了LiCoO2晶体和掺入Ni的LiCoO2:Ni晶体中Co3+的基态能级、晶体结构和电子顺磁共振g因子.考虑了LiCoO2晶体和LiCoO2:Ni晶体中自旋单重态和三重态对Co3+基态能级的影响,讨论了LiCoO2晶体和在LiCoO2晶体中掺杂Ni后Co3+局域结构常量大小的变化是引起Co3+的基态能级变化的主要原因,理论和实验都证实了这一点.还计算了掺杂前后的电子顺磁共振g因子,计算结果与实验值符合得较好. 相似文献
128.
左手介质椭圆光波导基模传播特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在椭圆柱坐标系中,采用分离变量方法,得出了左手介质椭圆光波导本征方程的近似解,通过数值计算,分析了椭圆波导偏心率、左手介质的电容率、磁导率对椭圆光波导基模传播特性的影响,并将左介质光波导与右手介质光波导基模特性进行对比,得出左手介质光波导的基模特性与右手介质光波导基模特性差别不大的结论. 相似文献
129.
L. Tong Y. Tian Q. Y. Wang Y. S. Ling 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2006,27(9):1307-1314
The paper introduces a special system calibration technology in s-parameters measurement of microwave and millimeter wave
devices. The 8-term errors module is built by analyzing the signals flowing in the measurement system. Then the calibration
technology using non-standard kits is designed on the base. Finally, the experiment using the calibration technology is introduced. 相似文献
130.
The structural properties of polycrystalline silicon films, prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition system, with different flow rates of SiH4/SiF4 mixtures at 300 °C were investigated. This study indicates that the low hydrogen coverage on the growing surface, under optimum fluorine radicals, will be leaded to an improvement of crystallized area as compared with case of high hydrogen coverage surface. Moreover, the studies of the role of SiH4 and SiF4 radicals show that the SiH4 radicals are important in the nucleation and growth of grains. However, SiF4 radicals are effective in the structural change of grain boundaries regions and by this way, in the present system, establish the growth of grains under the dominant 〈1 1 0〉 direction. The stress investigation indicates that addition of high flow rate of SiF4 in amorphous film, results in the nearly stress free films. Finally, we found that the changes in g-value reflect the changes in the intrinsic compressive and tensile stress in the both polycrystalline and amorphous silicon films. 相似文献